硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料。這種材料具有高電子遷移率和低噪聲特性，廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體分立器件和集成電路。硅外延片的制備工藝包括外延生長技術(shù)，通過在高溫下將硅源氣體分解并沉積在硅襯底上，形成高質(zhì)量的外延層。

硅外延片的應(yīng)用范圍非常廣泛，包括制備MOSFET、雙極型晶體管、IGBT器件、肖特基二極管、電荷藕合器件、CMOS圖像傳感器等多種產(chǎn)品。在信息通信、能源、光電子等領(lǐng)域，硅外延片發(fā)揮著重要作用。

我司檢測可提供硅外延片檢測服務(wù)，檢測報告具備CMA資質(zhì)。

檢測項目

晶向、電阻率及徑向電阻率變化、厚度及徑向厚度變化、晶體完整性、表面金屬、質(zhì)量等

檢測標(biāo)準(zhǔn)

GB∕T 14139-2019 硅外延片

GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T 2828.1-2012 計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T 6617 硅片電陽率測定擴(kuò)展電陽探針法

GB/T 6624 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T 12964 硅單晶拋光片

GB/T 13389 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T 14141 硅外延層、擴(kuò)展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T 14142 硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T 14146 硅外延層載流子濃度測定，汞探針電容-電壓法

GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T 14844 半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T 14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T 19921 硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T 24578 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

YS/T 28  硅片包裝